| 品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 兩周 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,電子,航天,汽車,綜合 |
Futurrex負性光刻膠：分為粘性增強負性光刻膠、高級加工負性光刻膠、剝離處理用負性光刻膠三種。
A、粘性增強負性光刻膠
粘性增強負膠的應用是在設計制造中替代基于聚異成二烯雙疊氮(Polyioprene-Bisazide) 的負膠。粘性增強負膠的特性是在濕刻和電鍍應用時非常強的粘附力很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是<0.1 ~ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。
粘性增強負膠對生產量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優于傳統正膠的優勢：控制表面形貌的優異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優越的分辨率、150℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 m的光膠顯影僅需6~8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、不必使用粘度增強劑。
i線曝光用粘度增強負膠系列: NP9-250P、NP9-1000P、NP9-1500P、NP9-3000P、NP9-6000P、NP9-8000、NP-8000P、NP9-20000P.
g和h線曝光用粘度增強負膠系列: NP9G-250P、NP9G-1000P、NP9G-1500P、NP9G-3000P、NP9G-6000P、NP9G-8000.
B、高級加工負性光刻膠
高級加工負膠的應用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。高級加工負膠的特性在RIE加工時優異的選擇性以及在離子植入時優異的溫度阻抗，厚度范圍是< 0.1 ~ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。優異的溫度阻抗直至180℃、在反應離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量；非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。
用于線曝光的高級加工負膠系列: NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000.
Futurrex負性光刻膠： | |
抗蝕刻負性光刻膠 | |
厚度范圍 | 0.5~200μm |
特點 | （1）無需使用增粘劑 （2）優良的分辨率 （3）曝光時間短 （4）顯影時間少 （5）可以耐180度高溫 （6）在離子蝕刻制程中有著良好的選擇性 （7）用RR41易于去膠 （8）常溫下可保存3年 |
應用 | （1）離子刻蝕 （2）高溫離子注入 |
厚膜負性光刻膠 | |
厚度范圍 | 8~200μm |
特點 | （1）優良的分辨率 （2）烘培時間短 （3）曝光速率快 （4）顯影影時間短 （5）粘附性好 （6）用RR41易于去膠 （7）常溫下可保存3年 |
應用 | （1）金屬電鍍工藝 （2）凸塊倒裝芯片封裝 （3）多級集成電路單元微系統 （4）感光芯片 （5）厚膜磁頭 （6）深溝平坦化 |
Lift-off用負性光刻膠 | |
厚度范圍 | 0.5~40μm |
特點 | （1）良好的分辨率 （2）烘培時間短 （3）通過曝光能量易于調整側壁的角度 （4）顯影時間短 （5）可以耐200℃高溫 （6）在離子蝕刻制程中有著良好的選擇性 （7）用RR41易于去膠 （8）常溫下可保存3年 |
應用 | （1）Lift-off工藝制程 （2）發光二極管 （3）砷化稼集成電路 （4）鐵電存儲器 （5）平板顯示 （6）微系統 （7）感光芯片 （8）生物芯片 |
▲Negative Etch Resists
▲Thick Negative Resists
▲Negative Lift-Off Resists
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